搅拌过程中加入适量的水,使其水解,用溶剂把溶胶调成一定的浓度,搅拌1 h后形成***透明溶胶,过滤,取滤液在单晶Si(100)片上甩膜50 s,在一定温度下热分解,最后在***3 K左右进行退火处理,就得到了以单晶硅为基质的钛酸钡薄膜。
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